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大尺寸高質量碳化硅（SiC）晶體電阻法生長設備，具有溫場控制精度高、晶體制備效率及質量高等特點，能夠實現SiC晶體的高效、穩定、低缺陷生長。這是一款能夠推動我國第三代半導體產業未來布局與競爭力的重大裝備。

本項目的實施將為我國戰略性新興產業第三代半導體的發展提供重要保障，有利于推動第三代半導體在5G通信、射頻器件、新能源汽車、智能電網、軌道交通等國家新興產業的深入應用，符合蘇州市2023年9月印發的《關于加快培育未來產業的工作意見》中“開展碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等單晶襯底及外延材料制備，推動寬禁帶半導體電力電子器件、射頻器件等關鍵部件研發及產業化……”的發展戰略，促進江蘇省產業結構的轉型升級，確立蘇州市在我國第三代半導體技術領域的領先地位。